台积电跨入EUV微影技术领域

  • yuabzx.cn   来源:梦梦网   2020-08-06 05:37:41  
台积电(2330)与微影设备大厂荷商艾司摩尔(ASML)昨(22)日共同宣布,台积电将取得ASML的TWINSCAN NXE:3100极紫外光(Extreme Ultra-Violet,EUV)微影设备。这是台积电在布局多重电子束的无光罩(maskless)、双重曝影(double patterning)浸润式等微影技术之外,首度宣示将跨入极紫外光微影技术领域。 台积电在目前量产中的40奈米,及年底即将进行风险试产的28奈米,均采用双重曝影的浸润式微影技术,但现阶段投入研发的22奈米,过去一年来锁定的微影技术,较倾向采用多重电子束的无光罩技术,对于由ASML主导的EUV技术较少着墨。不过,由于三星、东芝、海力士等业者,已成功利用EUV发展30奈米及20奈米世代的内存微影技术,台积电昨日宣布,开始跨入EUV微影技术的研发。 台积电及ASML昨日宣布,台积电将取得ASML的EUV微影设备,并安装在竹科12吋厂Fab12这座超大晶圆厂(GigaFab)中,用以发展新世代的制程技术。台积电也将成为全球第一个可在自有晶圆厂发展EUV微影技术的晶圆代工厂。 台积电指出,相较于现行浸润式微影技术以193奈米波长当作光源,EUV微影技术导入更短波长的光源,将有机会降低生产成本,而成为集成电路制造更先进技术世代一个有潜力的选择。台积电目前正在对EUV及其他微影技术的最佳成本效益的潜力进行评估。 台积电研究发展资深副总经理蒋尚义表示,台积电利用ASML的TWINSCAN NXE:3100设备,进行更先进世代制程技术的研发。EUV微影技术是台积电正在研究的次世代微影技术之一,而导入此项设备,不但切合台积电保持先进技术领先的目标,更强化了台积电不断投资于欧洲半导体业创新的一贯承诺。 由于EUV设备仍然十分昂贵,相对应的光罩投资金额也十分惊人,22奈米世代的研发投资几乎是上一世代28奈米的一倍,所以连芯片龙头大厂英特尔,至今对于EUV导入量产仍持保留态度。不过,一旦全球主要微影设备厂开始将EUV视为未来重点发展方向,EUV仍有机会在22奈米及更次世代的15奈米,成为微影技术的重要解决方案。